Piotr PERLIN1,2
1Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Sokołowska 29/37, 01-142 Warszawa
2TopGaN sp. z o.o., Aleja Prymasa Tysiąclecia 98, 01-424, Warszawa
Półprzewodniki z grupy III-N (AlInGaN) są kluczowymi materiałami dla nowoczesnej optoelektroniki. Emitery światła oparte na tych półprzewodnikach (diody laserowe i diody LED) mogą być dostosowane do pracy przy różnych długościach fal obejmujących widzialną i ultrafioletową część widma promieniowania elektromagnetycznego. Jednocześnie azotki metali grupy III są pierwszymi szeroko stosowanymi półprzewodnikami, które łączą szeroką przerwę energetyczną z niekubiczna strukturą krystalograficzną. Ta sytuacja zmusiła przemysł do zmierzenia się z kilkoma nowymi zjawiskami, takimi jak obecność silnego wewnętrznego pola elektrycznego w strukturach kwantowych, problem skutecznego domieszkowania oraz wreszcie obecność wysokiej gęstości dyslokacji. Udana realizacja laserów widzialnych i ultrafioletowych była impulsem do rozwoju wielu nowych aplikacji takich jak laserowe projektory multimedialne, laserowe światła samochodowe, laserowe spawarki metali kolorowych. Dodatkowo rozwój technologii kwantowych jest źródłem zapotrzebowania na lasery światła widzialnego o strojonej długości fali, do użycia w Dopplerowskim chłodzeniu atomów. Takie lasery są potrzebne na przykład dla nowych generacji optycznych zegarów atomowych. Wyzwaniem dla zastosowania laserów azotkowych jest integracja tych laserów w fotonicznych układach scalonych. W tej prezentacji omówione zostaną wyżej wymienione tematy w kontekście dotychczasowego rozwoju tej technologii w Polsce.