#P-13 + elevator pitch


Strategie projektowania niskostratnych interfejsów
optycznych dla układów fotoniki scalonej pracujących
w nietypowych zakresach spektralnych

Marcin LELIT1,2, Andrzej POŁATYŃSKI1,5, Krzysztof ANDERS1,3,4 Stanisław STOPIŃSKI1,3,4, Piotr WIŚNIEWSKI2,
Mateusz SŁOWIKOWSKI2, Marcin JUCHNIEWICZ2, Bartłomiej STONIO1,2, Krystian PAVŁOV2, Bartosz MICHALAK2,
Maciej FILIPIAK2 oraz Ryszard PIRAMIDOWICZ1,3,4

1Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa
2Politechnika Warszawska, Centrum Zaawansowanych Materiałów i Technologii CEZAMAT,
ul. Poleczki 19, 02-822 Warszawa
3LightHouse Sp. z o.o., ul. Stefczyka 34, 20-151 Lublin
4VIGO Photonics S.A., ul. Poznańska 129/133, 05-850 Ożarów Mazowiecki
5VPIphotonics GmbH, Carnotstr. 6, 10587 Berlin, Niemcy

Fotoniczne układy scalone (ang. photonic integrated circuit, PIC) są wykorzystywane od początku XXI wieku w systemach telekomunikacyjnych i transmisji danych ze względu na ich wyjątkowe zalety - kompaktowe rozmiary, energooszczędność, wysoką niezawodność i relatywnie niskie koszty wytwarzania (w skali masowej). W ostatniej dekadzie obszar zastosowania układów PIC poszerzył się o systemy sensoryczne, zdobywające kolejne nisze rynkowe.

Jednym z głównych wyzwań w projektowaniu i produkcji układów fotoniki scalonej (poza uzyskaniem zakładanej funkcjonalności) jest zapewnienie niskostratnych interfejsów I/O, możliwych do zaimplementowania w produkcji masowej i charakteryzujących się jak najwyższą (co najmniej mikrometrową) tolerancją na niedopasowanie geometryczne położenia elementów interfejsu [1]. Dojrzałe platformy fotoniczne oferują obecnie wydajne interfejsy dla długości fali z zakresu 1550 nm. Układy PIC działające w zakresie widzialnym (VIS) i średniej podczerwieni (mid-IR) wymagają zastosowania nowych platform materiałowych, takich jak german na krzemie (Ge-on-Si) czy azotek krzemu (SiN), gdzie osiągnięcie niskich strat wtrąceniowych pozostaje wyzwaniem koncepcyjnym
i technologicznym [2].

W niniejszej pracy omówiono strategie optymalizacji wydajności sprzęgania przy użyciu dwóch rodzajów interfejsów optycznych dla nowych platform fotonicznych. Pierwsza metoda pozwala na sprzęganie w płaszczyźnie układu PIC, wykorzystując konwertery rozmiaru pola modowego (ang. spot-size converters). Druga metoda polega na wykorzystaniu sprzęgaczy siatkowych (ang. grating couplers, GC). W pracy porównano podstawowe parametry transmisyjne oraz tolerancję centrowania dla obu systemów interfejsu oraz uzyskaną poprawę efektywności sprzęgania.


Badania zostały częściowo sfinansowane przez: (POB FOTECH) Politechniki Warszawskiej w ramach Inicjatywy Doskonałości: Uczelnia Badawcza (IDUB) umowa nr 1820/339/Z01/POB1/2021 oraz (YOUNG PW) przez Politechnikę Warszawską w ramach Inicjatywy Doskonałości: Uczelnia Badawcza (IDUB) umowa nr CPR-IDUB/51/Z01/2024. Niniejsza praca otrzymała wsparcie od Narodowego Centrum Badań i Rozwoju w ramach projektu MIRPIC (TECHMATSTRATEG-III/0026/2019-00).


Literatura
[1] Riccardo Marchetti, Cosimo Lacava, Lee Carroll, Kamil Gradkowski, oraz Paolo Minzioni, "Coupling strategies for silicon photonics integrated chips [Invited]," Photon. Res. 7, 201-239 (2019); https://doi.org/10.1364/PRJ.7.000201
[2] Sarah Daniel J. Blumenthal, “Photonic integration for UV to IR applications,” APL Photonics 5, 020903 (2020); https://doi.org/10.1063/1.5131683